XP151A13COMR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: XP151A13COMR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для XP151A13COMR
XP151A13COMR Datasheet (PDF)
xp151a13comr.pdf
XP151A13COMR20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 4.5V, Ids@ 3.6A 85m RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 2.0A 115m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Package Dimensions DGSSOT-23(PACKAGE)Millimeter MillimeterREF. REF. Min.Max. Min. Max.A 2.70 3.10 G 1.90 REF. B 2.40 2.80 H
xp151a13a0mr.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd N-Channel Power MOS FET Applications Notebook PCs DMOS Structure Cellular and portable phones Low On-State Resistance : 0.1 (max) On - board power supplies Ultra High-Speed Switching Li - ion battery systems Gate Protect Diode Built-in
xp151a13a0mr-g.pdf
Product specificationXP151A13A0MR-G Power MOSFET GENERAL DESCRIPTION The XP151A13A0MR-G is an N-channel Power MOSFET with low on state resistance and ultra high-speed switching characteristics. Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. In order to counter static, a gate protect diode is built-in. The small SOT-23 package m
xp151a13a0mr-g.pdf
XP151A13A0MR-G ETR1119_003Power MOSFET GENERAL DESCRIPTION The XP151A13A0MR-G is an N-channel Power MOSFET with low on state resistance and ultra high-speed switching characteristics. Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. In order to counter static, a gate protect diode is built-in. The small SOT-23 package makes high
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918