SSD3055. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SSD3055
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SSD3055
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SSD3055 даташит
ssd3055.pdf
SSD3055 18A , 30V , RDS(ON) 22 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION The SSD3055 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDS(on) and gate charge for most of the synchronous buck converter appl
ssd30n10-50d.pdf
SSD30N10-50D 26A, 100V, RDS(ON) 50m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low R
ssd30n06-39d.pdf
SSD30N06-39D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 30A, 60V, RDS(ON) 38 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are
ssd30n03-40d.pdf
SSD30N03-40D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 34A, 30V, RDS(ON) 26m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION TO-252(D-Pack) These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES
Другие MOSFET... SSD12P10 , SSD15N10 , SSD20N06-90D , SSD20N10-250D , SSD20N15-250D , SSD20P06-135D , SSD2504 , SSD2504S , STF13NM60N , SSD30N03-40D , SSD30N06-39D , SSD30N10-50D , SSD30N10-70D , SSD408 , SSD40N03 , SSD40N04-20D , SSD40N10-30D .
History: AGM302A1 | NCE20ND15Q | SSD20N15-250D | STF26NM60N
History: AGM302A1 | NCE20ND15Q | SSD20N15-250D | STF26NM60N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet





