SSM452. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM452

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 222 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для SSM452

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM452 даташит

 ..1. Size:609K  secos
ssm452.pdfpdf_icon

SSM452

SSM452 -6 A, -30V, RDS(ON) 55m P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A Suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION The SSM452 provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES SOT-223 Simple Drive Requirement Lower On-resistanc

 9.1. Size:209K  silicon standard
ssm4500gm.pdfpdf_icon

SSM452

SSM4500GM N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY N-CH BVDSS 20V D2 D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 30m D1 D1 Low On-resistance ID 6A Fast Switching G2 P-CH BVDSS -20V S2 G1 SO-8 S1 RDS(ON) 50m DESCRIPTION ID -5A The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching, rug

 9.2. Size:305K  silicon standard
ssm4502gm.pdfpdf_icon

SSM452

SSM4502GM N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY D2 N-CH BVDSS 20V D2 Simple Drive Requirement D1 RDS(ON) 18m D1 Low Gate Charge ID 8.3A Fast Switching Performance G2 S2 P-CH BVDSS -20V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 45m DESCRIPTION ID -5A The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switchin

 9.3. Size:293K  silicon standard
ssm4501gm.pdfpdf_icon

SSM452

SSM4501GM N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY N-CH BVDSS 30V D2 Simple Drive Requirement D2 RDS(ON) 28m D1 Low On-resistance D1 ID 7A Fast Switching G2 P-CH BVDSS -30V S2 G1 SO-8 RDS(ON) 50m S1 DESCRIPTION ID -5.3A The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching,

Другие IGBT... SSG6680, SSG9435, SSG9435BDY, SSG9435P, SSG9475, SSG9575, SSK3018K, SSM0410, 2N60, SSM9971, SSN3541, SSP7150N, SSP7200N, SSP7300N, SSP7411P, SSP7421P, SSP7430N