CEF02N6A
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEF02N6A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.2
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 1.4
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 6.9
nC
trⓘ -
Время нарастания: 10
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5
Ohm
Тип корпуса:
TO220F
Аналог (замена) для CEF02N6A
CEF02N6A
Datasheet (PDF)
..1. Size:354K cet
cep02n6a ceb02n6a cef02n6a.pdf 
CEP02N6A/CEB02N6ACEF02N6AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N6A 600V 8.5 1.4A 10VCEB02N6A 600V 8.5 1.4A 10VCEF02N6A 600V 8.5 1.4A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESSTO-263(
7.1. Size:342K 1
cef02n65d cep02n65d ceb02n65d.pdf 
CEP02N65D/CEB02N65D CEF02N65DPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65D 650V 6.9 2A 10VCEB02N65D 650V 6.9 2A 10VCEF02N65D 650V 6.9 2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF S
7.2. Size:391K cet
cep02n65a ceb02n65a cef02n65a.pdf 
CEP02N65A/CEB02N65ACEF02N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65A 650V 10.5 1.3A 10VCEB02N65A 650V 10.5 1.3A 10VCEF02N65A 650V 10.5 1.3A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES C
7.3. Size:393K cet
cep02n6g ceb02n6g cef02n6g.pdf 
CEP02N6G/CEB02N6GCEF02N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N6G 600V 5 2.2A 10VCEB02N6G 600V 5 2.2A 10VCEF02N6G 600V 5 2.2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK
7.4. Size:393K cet
cep02n65g ceb02n65g cef02n65g.pdf 
CEP02N65G/CEB02N65GCEF02N65GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65G 650V 5.5 2A 10VCEB02N65G 650V 5.5 2A 10VCEF02N65G 650V 5.5 2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(
Другие MOSFET... FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, GMM3x120-0075X2-SMD
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, STP80NF70
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
, FDMS3610S
, GWM100-0085X1-SMD
, FDMS3606S
, GWM100-01X1-SL
.
