FDC5612. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDC5612

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: SUPERSOT6

Аналог (замена) для FDC5612

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDC5612 даташит

 ..1. Size:77K  fairchild semi
 fdc5612 f095.pdf pdf_icon

FDC5612

December 2004 FDC5612 60V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 0.064 @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Low gate charge (12.5nC typical). Thes

 ..2. Size:78K  fairchild semi
 fdc5612.pdf pdf_icon

FDC5612

December 2004 FDC5612 60V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 0.064 @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Low gate charge (12.5nC typical). Thes

 ..3. Size:177K  onsemi
 fdc5612.pdf pdf_icon

FDC5612

FDC5612 60V N-Channel PowerTrench MOSFET Features General Description 4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 @ VGS = 10 V This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 0.064 @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional Low gate charge (12.5nC typical). switching PWM controllers. These MOSFETs featur

 8.1. Size:140K  fairchild semi
 fdc5614p.pdf pdf_icon

FDC5612

February 2002 FDC5614P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild s high 3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.105 @ VGS = 10 V voltage PowerTrench process. It has been optimized for RDS(ON) = 0.135 @ VGS = 4.5 V power management applications. Fast switching speed Applic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDB6035L, FDB603AL, FDB6670AL, FDB7030BL, FDB7030L, FDB7045L, FDB8030L, AS3401, 12N60, FDC6301N, FDC6302P, FDC6303N, FDC6304P, FDC6305N, FDC6306P, FDC6308P, FDC633N