2N6845 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2N6845 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO39
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для 2N6845
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2N6845 даташит
2n6845 irff9120.pdf
PD - 90552C IRFF9120 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6845 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6845 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/563 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9120 -100V 0.60 -4.0A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proce
2n6845u 2n6847u 2n6847u.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MIL-PRF-19500/563G shall be completed by 9 February 2013. 9 November 2012 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/563F 5 November 2003 * PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, P-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N6845, 2N6845U, 2N6847, AND 2N6847U, JA
2n6845lcc4.pdf
2N6845LCC4 IRFE9120 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET 9.14 (0.360) 1.27 (0.050) 8.64 (0.340) 1.07 (0.040) VDSS -100V 2.16 (0.085) 12 13 14 15 16 1.39 (0.055) ID(cont) -3.5A 1.02 (0.040) 11 17 RDS(on) 0.6 10 18 7.62 (0.300) 7.12 (0.280) 9 1 0.76 (0.030) 8 2 0.51 (0.020) FEATURES 0.33 (0.013) Rad. 0.08 (0.003) 7 6 5 4 3
2n6849 irff9130.pdf
PD - 90550D IRFF9130 JANTX2N6849 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6849 HEXFET TRANSISTORS JANS2N6849 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/564 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9130 -100V 0.30 -6.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry an
Другие IGBT... 2N6801LCC4, 2N6801-SM, 2N6802, 2N6802JANTX, 2N6802JANTXV, 2N6802SM, 2N6823, 2N6826, RFP50N06, 2N6847, 2N6849, 2N6849L, 2N6851, 2N6901, 2N6901JANTX, 2N6901JANTXV, 2N6902
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: IRFI3710 | STU438S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023 | MS60P03 | MS40P05AU | MS40P05 | MS40N05 | MS34P07 | MS34P01 | MS23P03 | MS23N06A | BPMS04N003M | BPM0405CG | BPM0306CG | BP0405SCG
Popular searches
bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor







