Справочник MOSFET. CEB75N10

 

CEB75N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEB75N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 70 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для CEB75N10

 

 

CEB75N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:857K  cet
 cep75n10 ceb75n10.pdf

CEB75N10 CEB75N10

CEP75N10/CEB75N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES100V, 72A, RDS(ON) = 15m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherw

 8.1. Size:324K  cet
 cep75n06 ceb75n06.pdf

CEB75N10 CEB75N10

CEP75N06/CEB75N06N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 87A, RDS(ON) = 12m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedPa

 8.2. Size:418K  cet
 cep75n06g ceb75n06g.pdf

CEB75N10 CEB75N10

CEP75N06G/CEB75N06GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 75A, RDS(ON) = 13m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise no

 9.1. Size:394K  cet
 cep75a3 ceb75a3.pdf

CEB75N10 CEB75N10

CEP75A3/CEB75A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES25V, 69A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 13m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-263 & TO-220 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top