CED02N9. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED02N9

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.8 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED02N9

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED02N9 даташит

 ..1. Size:414K  cet
 ceu02n9 ced02n9.pdf pdf_icon

CED02N9

CED02N9/CEU02N9 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 900V, 2A, RDS(ON) = 6.8 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C u

 8.1. Size:666K  cet
 ceu02n7g-1 ced02n7g-1.pdf pdf_icon

CED02N9

CED02N7G-1/CEU02N7G-1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 720V, 1.6A, RDS(ON) = 6.75 @VGS = 10V. 750V@Tc=150 C Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 8.2. Size:397K  cet
 ceu02n7g ced02n7g.pdf pdf_icon

CED02N9

CED02N7G/CEU02N7G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 700V, 1.6A, RDS(ON) = 6.75 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless o

 8.3. Size:417K  cet
 ceu02n65g ced02n65g.pdf pdf_icon

CED02N9

CED02N65G/CEU02N65G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 1.8A, RDS(ON) = 5.5 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CED01N6G, CED01N7, CED02N65A, CED02N65G, CED02N6A, CED02N6G, CED02N7G, CED02N7G-1, IRF640, CED03N8, CED04N6, CED04N65, CED04N7G, CED05N65, CED06N7, CED07N65A, CED08N6A