CED40N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED40N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED40N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED40N10 даташит

 ..1. Size:405K  cet
 ceu40n10 ced40n10.pdf pdf_icon

CED40N10

CED40N10/CEU40N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 37A, RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth

 9.1. Size:397K  cet
 ceu4060al ced4060al.pdf pdf_icon

CED40N10

CED4060AL/CEU4060AL N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 16A, RDS(ON) = 75m @VGS = 10V. RDS(ON) = 90m @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIM

 9.2. Size:398K  cet
 ced4060a ceu4060a.pdf pdf_icon

CED40N10

CED4060A/CEU4060A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 15A, RDS(ON) = 85m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

 9.3. Size:398K  cet
 ceu4060a ced4060a.pdf pdf_icon

CED40N10

CED4060A/CEU4060A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 15A, RDS(ON) = 85m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CED25N15L, CED3060, CED3100, CED3120, CED3172, CED3252, CED4060A, CED4060AL, 4N60, CED4204, CED540L, CED540N, CED55N10, CED6056, CED6060N, CED6086, CED6186