CEB12N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB12N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.73 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB12N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB12N65 даташит

 ..1. Size:386K  cet
 cep12n65 ceb12n65 cef12n65.pdf pdf_icon

CEB12N65

CEP12N65/CEB12N65 CEF12N65 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP12N65 650V 0.73 12A 10V CEB12N65 650V 0.73 12A 10V CEF12N65 650V 0.73 12A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES C

 7.1. Size:411K  cet
 cep12n6 ceb12n6 cef12n6.pdf pdf_icon

CEB12N65

CEP12N6/CEB12N6 CEF12N6 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP12N6 600V 0.65 12A 10V CEB12N6 600V 0.65 12A 10V CEF12N6 600V 0.65 12A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES

 8.1. Size:396K  cet
 cep12n5 ceb12n5 cef12n5.pdf pdf_icon

CEB12N65

CEP12N5/CEB12N5 CEF12N5 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP12N5 500V 0.54 12A 10V CEB12N5 500V 0.54 12A 10V CEF12N5 500V 0.54 12A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES

 9.1. Size:126K  cet
 cep12p10 ceb12p10.pdf pdf_icon

CEB12N65

CEP12P10/CEB12P10 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V, -11A, RDS(ON) =315m @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEM26138, CEM2939, CEM3032, CEM3060, CEM3109, CEM3120, CEA3252, CEB10N65, CS150N03A8, CEC8218, CEF05N6, CEF10N65, CEF12N65, CEH8205, CEM2539, CEM73A3G, CEZ3R03