CEM2163 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEM2163  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 505 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEM2163

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM2163 даташит

 ..1. Size:324K  cet
 cem2163.pdf pdf_icon

CEM2163

CEM2163 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V, -8.9A, RDS(ON) = 20m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 30m @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless oth

 ..2. Size:856K  cn vbsemi
 cem2163.pdf pdf_icon

CEM2163

CEM2163 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition a 0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET - 13 a 100 % Rg Tested 0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC - 10 Built in ESD Protection with Zener Diode 0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Typical E

 9.1. Size:356K  cet
 cem2133.pdf pdf_icon

CEM2163

CEM2133 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -20V, -10A, RDS(ON) = 18m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 27m @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead-free plating ; RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA =

 9.2. Size:407K  cet
 cem2182.pdf pdf_icon

CEM2163

CEM2182 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 20V, 9.3A, RDS(ON) = 18m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 24m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead-free plating ; RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEF15P15, CEF6601, CEH2305, CEH2313, CEH2321, CEH2321A, CEH2331, CEH3456, 4N60, CEM2187, CEM2281, CEM2401, CEM2407, CEM3053, CEM3083, CEM3301, CEM3307