CEM4301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CEM4301
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для CEM4301
CEM4301 Datasheet (PDF)
cem4301.pdf

CEM4301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-40V, -6A, RDS(ON) = 42m @VGS = -10V. RDS(ON) = 65m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherw
cem4308.pdf

CEM4308Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES540V, 5.8A, RDS(ON) = 38m @VGS = 10V. RDS(ON) = 50m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 4S1 G1 S2 G21ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C
cem4311.pdf

CEM4311P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -9.3A, RDS(ON) = 18m @VGS = -10V. RDS(ON) = 30m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless othe
cem4311.pdf

CEM4311www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS SO-8S1 8 DG S D2 7S3 6 DG
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHS045N98I | DHS045N98F | DHS045N98E | DHS045N98D | DHS045N98B | DHS045N98 | DHS045N88I | DHS045N88F | DHS045N88E | DHS045N88D | DHS035N88I | DHS035N88E | DHS035N88 | DHS035N10E | DHS035N10 | DHS031N07P
Popular searches
2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet