Справочник MOSFET. CEU12P10

 

CEU12P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU12P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.315 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU12P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  cet
 ced12p10 ceu12p10.pdf pdf_icon

CEU12P10

CED12P10/CEU12P10P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-100V, -9A, RDS(ON) = 315m @VGS = -10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 9.1. Size:410K  cet
 ceu12n10 ced12n10.pdf pdf_icon

CEU12P10

CED12N10/CEU12N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 11A, RDS(ON) = 180m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless o

 9.2. Size:411K  cet
 ced12n10 ceu12n10.pdf pdf_icon

CEU12P10

CED12N10/CEU12N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 11A, RDS(ON) = 180m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless o

 9.3. Size:571K  cet
 ceu12n10l ced12n10l.pdf pdf_icon

CEU12P10

CED12N10L/CEU12N10LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 11A, RDS(ON) = 175m @VGS = 10V. RDS(ON) = 185m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability. DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APL602J | AOD4132 | PK5M6EA | BSS214NW | TK3A60DA | HAF1002

 

 
Back to Top

 


 
.