FDR8305N
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDR8305N
Маркировка: .8305
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 4.5
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 16.2
nC
trⓘ -
Время нарастания: 15
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 380
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022
Ohm
Тип корпуса: SUPERSOT8
Аналог (замена) для FDR8305N
FDR8305N
Datasheet (PDF)
..1. Size:162K fairchild semi
fdr8305n.pdf 
November 1999FDR8305NDual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced 4.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.022 @ VGS = 4.5 Vusing Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench RDS(ON) = 0.028 @ VGS = 2.5 V.process that has been especially tailored to minimize theon-state resis
8.1. Size:112K fairchild semi
fdr8308p.pdf 
November 1998 FDR8308P Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET General Description FeaturesThe SuperSOT-8 family of P-Channel Logic Level MOSFETs-3.2 A, -20 V. RDS(ON) = 0.050 @ VGS = -4.5 V,have been designed to provide a low profile, small footprint RDS(ON) = 0.070 @ VGS = -2.5 V. alternative to industry standard SO-8 little foot type product.Low gate char
9.1. Size:79K fairchild semi
fdr836p.pdf 
April 1999FDR836PP-Channel 2.5V Specified MOSFETGeneral Description FeaturesSuperSOTTM -8 P-Channel enhancement mode power -6.1 A, -20 V. RDS(ON) = 0.030 W @ VGS = -4.5 Vfield effect transistors are produced using FairchildsRDS(ON) = 0.040 W @ VGS = -2.5 Vproprietary, high cell density, DMOS technology. Thisvery high density process is especially tailored to mini- H
9.2. Size:204K fairchild semi
fdr838p.pdf 
March 1999FDR838PP-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFETFeaturesGeneral DescriptionThese P-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced -8 A, -20 V. RDS(ON) = 0.017 @ VGS = -4.5 Vusing Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench RDS(ON) = 0.024 @ VGS = -2.5 Vprocess that has been especially tailored to minimize theon-state resistance and yet maintain low g
Другие MOSFET... FDP603AL
, FDP6670AL
, FDP7030BL
, FDP7030L
, FDP7045L
, FDP8030L
, FDR4410
, FDR4420A
, IRF640N
, FDR8308P
, FDR836P
, FDR838P
, FDR8508P
, FDR856P
, FDR858P
, FDS3570
, FDS3580
.
