FDR858P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FDR858P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
Тип корпуса: SUPERSOT8
Аналог (замена) для FDR858P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FDR858P даташит
fdr858p.pdf
February 1999 FDR858P Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET General Description Features The SuperSOT-8 family of P-Channel Logic Level -8 A, -30 V. RDS(ON) = 0.019 @ VGS = -10 V, MOSFETs have been designed to provide a low profile, RDS(ON) = 0.028 @ VGS = -4.5 V. small footprint alternative to industry standard SO-8 little foot type product. Low gate charge (2
fdr8508p.pdf
March 1999 FDR8508P Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET General Description Features -3.0 A, -30 V. RDS(ON) = 0.052 @ VGS = -10V These P-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench RDS(ON) = 0.086 @ VGS = -4.5V. process that has been especially tailored to minimize the Low gate charge. (8nC typical). on s
fdr856p.pdf
March 1998 FDR856P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features SuperSOTTM-8 P-Channel enhancement mode power field - 6.3 A, -30 V, RDS(ON) =0.025 @ VGS = -10 V effect transistors are produced using Fairchild's RDS(ON) =0.040 @ VGS = -4.5 V. proprietary, high cell density, DMOS technology. This very SuperSOTTM-8 package high den
Другие IGBT... FDR4410, FDR4420A, FDR8305N, FDR8308P, FDR836P, FDR838P, FDR8508P, FDR856P, IRF3710, FDS3570, FDS3580, FDS4410, FDS4435, FDS4435A, FDS4953, FDS5680, FDS5690
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet



