Справочник MOSFET. FDR858P

 

FDR858P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDR858P
   Маркировка: 858P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSOT8

 Аналог (замена) для FDR858P

 

 

FDR858P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  fairchild semi
 fdr858p.pdf

FDR858P FDR858P

February 1999 FDR858P Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET General Description FeaturesThe SuperSOT-8 family of P-Channel Logic Level-8 A, -30 V. RDS(ON) = 0.019 @ VGS = -10 V,MOSFETs have been designed to provide a low profile,RDS(ON) = 0.028 @ VGS = -4.5 V.small footprint alternative to industry standard SO-8 littlefoot type product. Low gate charge (2

 9.1. Size:131K  fairchild semi
 fdr8508p.pdf

FDR858P FDR858P

March 1999FDR8508PDual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFETGeneral Description Features -3.0 A, -30 V. RDS(ON) = 0.052 @ VGS = -10VThese P-Channel 2.5V specified MOSFETs are producedusing Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrenchRDS(ON) = 0.086 @ VGS = -4.5V.process that has been especially tailored to minimize the Low gate charge. (8nC typical).on s

 9.2. Size:78K  fairchild semi
 fdr856p.pdf

FDR858P FDR858P

March 1998FDR856P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesSuperSOTTM-8 P-Channel enhancement mode power field - 6.3 A, -30 V, RDS(ON) =0.025 @ VGS = -10 Veffect transistors are produced using Fairchild's RDS(ON) =0.040 @ VGS = -4.5 V. proprietary, high cell density, DMOS technology. This verySuperSOTTM-8 package:high den

Другие MOSFET... FDR4410 , FDR4420A , FDR8305N , FDR8308P , FDR836P , FDR838P , FDR8508P , FDR856P , IRFB4227 , FDS3570 , FDS3580 , FDS4410 , FDS4435 , FDS4435A , FDS4953 , FDS5680 , FDS5690 .

 

 
Back to Top