FDS3580. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS3580

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для FDS3580

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS3580 даташит

 ..1. Size:83K  fairchild semi
 fds3580.pdf pdf_icon

FDS3580

December 2000 FDS3580 80V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features 7.6 A, 80 V. RDS(ON) = 0.029 @ VGS = 10 V This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using RDS(ON) = 0.033 @ VGS = 6 V. either synchronous or conventional switching PWM controllers. Low gate charge (3

 9.1. Size:81K  fairchild semi
 fds3570.pdf pdf_icon

FDS3580

December 2000 FDS3570 80V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features 9 A, 80 V. RDS(ON) = 0.020 @ VGS = 10 V This N-Channel Logic Level MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 0.023 @ VGS = 6 V. converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Fast swi

 9.2. Size:86K  fairchild semi
 fds3590.pdf pdf_icon

FDS3580

November 2000 FDS3590 80V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 6.5 A, 80 V RDS(ON) = 39 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 44 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Low gate charge These MOSFETs feature faster

 9.3. Size:86K  fairchild semi
 fds3512.pdf pdf_icon

FDS3580

May 2001 FDS3512 80V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 4.0 A, 80 V RDS(ON) = 70 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 80 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Low gate charge (13nC Typical) These MO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDR8305N, FDR8308P, FDR836P, FDR838P, FDR8508P, FDR856P, FDR858P, FDS3570, AON6414A, FDS4410, FDS4435, FDS4435A, FDS4953, FDS5680, FDS5690, FDS6375, FDS6570A