2N4003NLT1 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2N4003NLT1 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.69 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 47.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19.7 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: SOT23
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для 2N4003NLT1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2N4003NLT1 даташит
2n4003nlt1.pdf
FM120-M WILLAS THRU 2N4003NLT1 Small Signal MOSFET 30V,0.56A, Single, SOT-23 FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in ord
2n4003k.pdf
2N4003K 3 DRAIN N-Channel Enhancement DRAIN CURRENT Mode Power MOSFET 1 0.5 AMPERES GATE P b Lead(Pb)-Free * DRAIN SOUCE VOLTAGE * Gate 30 VOLTAGE Pretection Features Diode SOURCE 2 * Low Gate Voltage Threshold Vgs(th) to Facilitate Drive Circuit Design. * Low Gate Charge for Fast Switching. 3 * ESD Protected Gate. * Minimum Breakdown Voltage Rating of 30V. 1 2
2n4000.pdf
2N4000 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 80V dia. IC = 1A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3
2n4001.pdf
2N4001 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 100V dia. IC = 1A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3
Другие IGBT... KTK597E, KTK597TV, KTK597V, KTK598TV, KTK598V, KTK697TV, KTK698TV, KTX598TF, 2N7000, 2N7002DW1T1, 2N7002ELT1, 2N7002LT1, 2N7002NT1, 2N7002WT1, 2SK3018LT1, 2SK3018WT1, 2SK3019TT1
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: 26N50
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BLM3404 | BL4N90 | SI2309S | SI2301F | BMSN3139 | BMS2302 | BMS2301 | BMDFN2302 | BMDFN2301 | BM8205 | BM3139KT | BM3134KE | BM3134E | AO3415E | AO3401F | CS65N25AKR
Popular searches
2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g





