H2N7000 - описание и поиск аналогов

 

H2N7000. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H2N7000

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для H2N7000

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H2N7000 даташит

 ..1. Size:51K  hsmc
h2n7000.pdfpdf_icon

H2N7000

Spec. No. HE6267 HI-SINCERITY Issued Date 1993.09.17 Revised Date 2006.08.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N7000 N-Channel Enhancement Mode Transistor Description The H2N7000 is designed for high voltage, high speed applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temp

 ..2. Size:423K  shantou-huashan
h2n7000.pdfpdf_icon

H2N7000

H2N7000 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These products have been designed to minimize on-state resistance While TO-92 provide rugged, reliable, and fast switching performance. These products are particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, pow

 8.1. Size:156K  hsmc
h2n7002ksn.pdfpdf_icon

H2N7000

Spec. No. MOS200809 HI-SINCERITY Issued Date 2008.11.18 Revised Date 2010.04.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H2N7002KSN Pin Assignment & Symbol 3 3-Lead Plastic SOT-323 H2N7002KSN Package Code SN Pin 1 Gate 2 Source 3 Drain N-CHANNEL TRANSISTOR 2 1 Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drai

 8.2. Size:136K  hsmc
h2n7002k.pdfpdf_icon

H2N7000

Spec. No. MOS200803 HI-SINCERITY Issued Date 2005.03.13 Revised Date 2010,03,04 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N7002K N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage .........................................................................................................

Другие MOSFET... H10N65F , H12N60E , H12N60F , H12N65E , H12N65F , H2301N , H2302N , H2305N , IRFP064N , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.