Справочник MOSFET. H2N7000

 

H2N7000 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H2N7000
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для H2N7000

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H2N7000 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  hsmc
h2n7000.pdfpdf_icon

H2N7000

Spec. No. : HE6267HI-SINCERITYIssued Date : 1993.09.17Revised Date : 2006.08.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N7000N-Channel Enhancement Mode TransistorDescriptionThe H2N7000 is designed for high voltage, high speed applications such as switchingregulators, converters, solenoid and relay drivers.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temp

 ..2. Size:423K  shantou-huashan
h2n7000.pdfpdf_icon

H2N7000

H2N7000 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These products have been designed to minimize on-state resistance While TO-92 provide rugged, reliable, and fast switching performance. These products are particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, pow

 8.1. Size:156K  hsmc
h2n7002ksn.pdfpdf_icon

H2N7000

Spec. No. : MOS200809 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.11.18 Revised Date :2010.04.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H2N7002KSN Pin Assignment & Symbol 33-Lead Plastic SOT-323 H2N7002KSN Package Code: SN Pin 1: Gate 2: Source 3: DrainN-CHANNEL TRANSISTOR 21Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drai

 8.2. Size:136K  hsmc
h2n7002k.pdfpdf_icon

H2N7000

Spec. No. : MOS200803 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.03.13 Revised Date :2010,03,04 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2N7002K N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage .........................................................................................................

Другие MOSFET... H10N65F , H12N60E , H12N60F , H12N65E , H12N65F , H2301N , H2302N , H2305N , 5N50 , H2N7002 , H2N7002K , H2N7002KSN , H2N7002SN , H3055LJ , H3055MJ , H35N03J , H4422S .

 

 
Back to Top

 


 
.