Справочник MOSFET. AP01N60P

 

AP01N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP01N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP01N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  ape
ap01n60p.pdfpdf_icon

AP01N60P

AP01N60PPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Dynamic dv/dt Rating BVDSS 600V Repetitive Avalanche Rated RDS(ON) 8 Fast Switching ID 1.6A Simple Drive Requirement GDTO-220S RoHS CompliantDescriptionDThe TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications. The de

 7.1. Size:98K  ape
ap01n60hj-hf.pdfpdf_icon

AP01N60P

AP01N60H/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 8 Simple Drive Requirement ID 1.6AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialDSTO-252(H)surface mount ap

 7.2. Size:196K  ape
ap01n60j.pdfpdf_icon

AP01N60P

AP01N60J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 8 Simple Drive Requirement ID 1.6AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGDS TO-251(J)AP01N60 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology

 9.1. Size:56K  ape
ap01n40g-hf.pdfpdf_icon

AP01N60P

AP01N40G-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 400VD 100% Avalanche Test RDS(ON) 16 Fast Switching Performance ID 0.2AG Simple Drive RequirementSDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withSthe best combination of fast switching, ruggedized device

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: KRF7494 | NVMFS5C628N | MSQ94P33 | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.