Справочник MOSFET. AP02N70EI-HF

 

AP02N70EI-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP02N70EI-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP02N70EI-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  ape
ap02n70ei-hf.pdfpdf_icon

AP02N70EI-HF

AP02N70EI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 700VD ESD Improved Capability RDS(ON) 7G Simple Drive Requirement ID 1.6A RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP02N70 from APEC provide the designer with the bestGDcombination of fast switching , low on-resistance and

 6.1. Size:58K  ape
ap02n70ej-hf.pdfpdf_icon

AP02N70EI-HF

AP02N70EJ-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 700VD ESD Improved Capability RDS(ON) 7G Simple Drive Requirement ID 1.6A RoHS CompliantSGDescriptionDSTO-251(J)AP02N70 from APEC provide the designer with the best combination offast switching , low on-resistance and c

 6.2. Size:108K  ape
ap02n70ej.pdfpdf_icon

AP02N70EI-HF

AP02N70EJRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 700VD ESD Improved Capability RDS(ON) 7G Simple Drive Requirement ID 1.6ASGDescription DTO-251(J)SAP02N70 from APEC provide the designer with the best combinationof fast switching , low on-resistance and cost-effectiveness.Th

 9.1. Size:197K  ape
ap02n90h.pdfpdf_icon

AP02N70EI-HF

AP02N90H/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 900VD Low On-resistance RDS(ON) 7.2 Fast Switching Characteristics ID 1.9A RoHS Compliant & Halogen-FreeGSDescriptionAP02N90 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FDZ1416NZ | SIHG47N60S | IXFT44N50Q3 | HGI110N08AL | IPP16CN10LG | BRCS4606HSC | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.