AP04N70BI. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP04N70BI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для AP04N70BI
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP04N70BI даташит
ap04n70bi.pdf
AP04N70BI RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.4 Simple Drive Requirement ID 4A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance
ap04n70bi-hf.pdf
AP04N70BI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.4 Simple Drive Requirement ID 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedi
ap04n70bi-a.pdf
AP04N70BI-A RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.4 Simple Drive Requirement ID 4A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistan
ap04n70bi-a-hf.pdf
AP04N70BI-A-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.4 Simple Drive Requirement ID 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge
Другие MOSFET... 2SK3131 , AP04N20GK-HF , AP04N60H-HF , AP04N60H-H-HF , AP04N60I , AP04N60I-A-HF , AP04N60R-A-HF , AP04N60S-H-HF , IRFP250N , AP04N70BI-A , AP04N70BI-H-HF , AP04N70BP-A , AP04N70BS-H-HF , AP04N80I-HF , AP04N80R-HF , 2SK4097LS , 2SK2103 .
History: 2SK1328 | AP4511GM-HF
History: 2SK1328 | AP4511GM-HF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent






