AP10N70W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP10N70W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 174 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP10N70W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10N70W даташит

 ..1. Size:222K  ape
 ap10n70w.pdf pdf_icon

AP10N70W

AP10N70W RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 10A G S Description AP10N70 series are specially designed as main switching devices for universal 90 265VAC off-line AC/DC converter applications. The TO-3P type p

 7.1. Size:189K  ape
 ap10n70p.pdf pdf_icon

AP10N70W

AP10N70R/P RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 10A G S Description G AP10N70 series are specially designed as main switching devices for D TO-262(R) S universal 90 265VAC off-line AC/DC converter applicati

 7.2. Size:172K  ape
 ap10n70s.pdf pdf_icon

AP10N70W

AP10N70S RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 10A G S Description AP10N70S is specially designed as main switching devices for universal G D 90 265VAC off-line AC/DC converter applications. TO-263 type provid

 7.3. Size:189K  ape
 ap10n70p-a.pdf pdf_icon

AP10N70W

AP10N70R/P-A RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 650V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 10A G S Description G AP10N70 series are specially designed as main switching devices for D TO-262(R) S universal 90 265VAC off-line AC/DC converter applica

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP1001BSQ, AP1002BMX, AP10N60W, AP10N70I-A-HF, AP10N70P, AP10N70P-A, AP10N70R-A, AP10N70S, 20N60, AP10P10GH-HF, AP10P10GJ-HF, AP11N50I, 2SK3285, 2SK3287, 2SK3288, 2SK3289, 2SK3290