AP13P15GJ-HF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP13P15GJ-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP13P15GJ-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP13P15GJ-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP13P15GJ-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  ape
 ap13p15gj-hf.pdf pdf_icon

AP13P15GJ-HF

AP13P15GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -150V Simple Drive Requirement RDS(ON) 300m Fast Switching Characteristic ID -13AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialGDsurface mount application

 6.1. Size:62K  ape
 ap13p15gs p-hf.pdf pdf_icon

AP13P15GJ-HF

AP13P15GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS -150V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 300m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -13AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theGbest combination of fast switching, ruggedized device design

 6.2. Size:72K  ape
 ap13p15gp ap13p15gs.pdf pdf_icon

AP13P15GJ-HF

AP13P15GS/PPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETDLower On-resistance BVDSS -150V Simple Drive Requirement RDS(ON) 300m Fast Switching Characteristic ID -13A G RoHS CompliantSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGD

 9.1. Size:1589K  cn apm
 ap13p06d.pdf pdf_icon

AP13P15GJ-HF

AP13P06D -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP13P06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-13.5A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP1332GEU-HF , AP1332GEV-HF , AP1333GU , AP1334GEU-HF , AP13N50I-HF , AP13N50R-HF , AP13N50W , AP13P15GH-HF , IRF9540 , AP13P15GP-HF , AP13P15GS-HF , AP1430GEU6-HF , AP14S50S-HF , AP15N03GH-HF , AP15N03GJ-HF , AP15P10GH-HF , AP15P10GJ-HF .

History: NTD4854N-1G | AP15P10GH-HF | TSM2302CX | SSM6N7002FU | 2SK1735 | NDP610AE

 

 
Back to Top

 


 
.