AP18P10GJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP18P10GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP18P10GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP18P10GJ даташит

 ..1. Size:170K  ape
 ap18p10gj.pdf pdf_icon

AP18P10GJ

AP18P10GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 180m Fast Switching Characteristic ID -12A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge

 0.1. Size:102K  ape
 ap18p10gh-hf ap18p10gj-hf.pdf pdf_icon

AP18P10GJ

AP18P10GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 180m Fast Switching Characteristic ID -12A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G

 6.1. Size:174K  ape
 ap18p10gh.pdf pdf_icon

AP18P10GJ

AP18P10GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 180m Fast Switching Characteristic ID -12A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D ruggedized device design, low on-r

 6.2. Size:169K  ape
 ap18p10gm.pdf pdf_icon

AP18P10GJ

AP18P10GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -100V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 180m D Fast Switching Characteristic ID -2.7A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 D Description AP18P10 series are

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP18N20GI, AP18N20GJ-HF, AP18N20GP-HF, AP18N20GS-HF, AP18N50W, AP18P10AGH-HF, AP18P10AGJ-HF, AP18P10GH, AON7403, AP18P10GI, AP18P10GK-HF, AP18P10GM-HF, AP18P10GS, AP18T10AGH-HF, AP18T10AGJ-HF, AP18T10AGK-HF, AP18T10GH-HF