AP2302AGN-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2302AGN-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2302AGN-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2302AGN-HF даташит

 ..1. Size:94K  ape
 ap2302agn-hf.pdf pdf_icon

AP2302AGN-HF

AP2302AGN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 42m Surface mount package ID 4.6A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resist

 5.1. Size:176K  ape
 ap2302agn.pdf pdf_icon

AP2302AGN-HF

AP2302AGN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 42m Surface Mount Package ID 4.6A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G D Description AP2302A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the l

 7.1. Size:2068K  cn apm
 ap2302ai.pdf pdf_icon

AP2302AGN-HF

AP2302AI 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2302AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =3.2A DS D R

 8.1. Size:96K  ape
 ap2302gn-hf.pdf pdf_icon

AP2302AGN-HF

AP2302GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V Small package outline D RDS(ON) 85m Surface mount package ID 3.2A RoHS Compliant S SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, D low on-resistanc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP20T15GI-HF, AP20T15GP-HF, AP22N13GH-HF, AP22T03GH-HF, AP2301AGN-HF, AP2301BGN-HF, AP2301GN-HF, AP2301N-HF, IRFB3607, AP2302GN-HF, AP2303GN-HF, AP2304AGN-HF, AP2304GN-HF, AP2305AGN-HF, AP2305BGN-HF, AP2305CGN-HF, AP2305GN-HF