AP2302AGN-HF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP2302AGN-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP2302AGN-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP2302AGN-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2302AGN-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ape
ap2302agn-hf.pdfpdf_icon

AP2302AGN-HF

AP2302AGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 42m Surface mount package ID 4.6AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resist

 5.1. Size:176K  ape
ap2302agn.pdfpdf_icon

AP2302AGN-HF

AP2302AGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 42m Surface Mount Package ID 4.6AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAP2302A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the l

 7.1. Size:2068K  cn apm
ap2302ai.pdfpdf_icon

AP2302AGN-HF

AP2302AI 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2302AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =3.2A DS DR

 8.1. Size:96K  ape
ap2302gn-hf.pdfpdf_icon

AP2302AGN-HF

AP2302GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V Small package outline D RDS(ON) 85m Surface mount package ID 3.2A RoHS CompliantSSOT-23GDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Dlow on-resistanc

Другие MOSFET... AP20T15GI-HF , AP20T15GP-HF , AP22N13GH-HF , AP22T03GH-HF , AP2301AGN-HF , AP2301BGN-HF , AP2301GN-HF , AP2301N-HF , IRF1407 , AP2302GN-HF , AP2303GN-HF , AP2304AGN-HF , AP2304GN-HF , AP2305AGN-HF , AP2305BGN-HF , AP2305CGN-HF , AP2305GN-HF .

History: PDN6911S | 2N4393DCSM | 2N4393C1D | 2SK3521-01SJ | VB2658 | WVM9.5N100 | 2SK3037

 

 
Back to Top

 


 
.