Справочник MOSFET. AP2311GK-HF

 

AP2311GK-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2311GK-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2311GK-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  ape
ap2311gk-hf.pdfpdf_icon

AP2311GK-HF

AP2311GK-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 250mS Fast Switching Characteristic ID - 2.4AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC

 7.1. Size:120K  ape
ap2311gn.pdfpdf_icon

AP2311GK-HF

AP2311GNRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD Small Package Outline RDS(ON) 250m Surface Mount Device ID - 1.8ASSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Glow on-resistance and cost-effec

 7.2. Size:125K  ape
ap2311gn-hf.pdfpdf_icon

AP2311GK-HF

AP2311GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD Small Package Outline RDS(ON) 250m Surface Mount Device ID - 1.8AS RoHS CompliantSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Glow on-resi

 7.3. Size:3068K  cn vbsemi
ap2311gn.pdfpdf_icon

AP2311GK-HF

AP2311GNwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;f = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.04RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 12 P-ChannelQgs (nC) 3.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 5.1 Dynamic dV/

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FHP1404A | STB18NF25 | P0460BTF | NTMD6P02R2 | BLS70R600-P | FDBL9403-F085 | BSC014N03MS

 

 
Back to Top

 


 
.