Справочник MOSFET. AP2311GN-HF

 

AP2311GN-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP2311GN-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.38 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 6 nC
   Время нарастания (tr): 5 ns
   Выходная емкость (Cd): 50 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для AP2311GN-HF

 

 

AP2311GN-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  ape
 ap2311gn-hf.pdf

AP2311GN-HF AP2311GN-HF

AP2311GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD Small Package Outline RDS(ON) 250m Surface Mount Device ID - 1.8AS RoHS CompliantSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Glow on-resi

 6.1. Size:120K  ape
 ap2311gn.pdf

AP2311GN-HF AP2311GN-HF

AP2311GNRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD Small Package Outline RDS(ON) 250m Surface Mount Device ID - 1.8ASSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Glow on-resistance and cost-effec

 6.2. Size:3068K  cn vbsemi
 ap2311gn.pdf

AP2311GN-HF AP2311GN-HF

AP2311GNwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;f = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.04RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 12 P-ChannelQgs (nC) 3.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 5.1 Dynamic dV/

 7.1. Size:50K  ape
 ap2311gk-hf.pdf

AP2311GN-HF AP2311GN-HF

AP2311GK-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 250mS Fast Switching Characteristic ID - 2.4AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top