Справочник MOSFET. 2SK416L

 

2SK416L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK416L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для 2SK416L

 

 

2SK416L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  inchange semiconductor
 2sk416l.pdf

2SK416L 2SK416L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK416LFEATURESDrain Current : I = 2.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.8(Max) @ V = 15VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

 8.1. Size:47K  hitachi
 2sk416s.pdf

2SK416L

 8.2. Size:355K  sanken-ele
 2sk4161d.pdf

2SK416L 2SK416L

http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC Mar. 2014 Features Package Low on-resistance TO-3P Built-in gate protection diode Applications Electric power steering High current switching Key Specifications V = 60V (I =100A) (BR)DSS DR = 4.8m max. (V =10V, I =35A) DS(ON) GS DR = 6.0m max. (V =8V, I =35A) DS(ON)

 8.3. Size:259K  inchange semiconductor
 2sk4161d.pdf

2SK416L 2SK416L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK4161DFEATURESDrain Current I =100A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.8m(Max) 100% avalanche testedDS(on)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies .ABSOLUTE MAXIMUM

 8.4. Size:286K  inchange semiconductor
 2sk416s.pdf

2SK416L 2SK416L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK416SFEATURESDrain Current : I = 2.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.8(Max) @ V = 15VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRF9520S

 

 
Back to Top