Справочник MOSFET. 2SK416S

 

2SK416S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK416S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для 2SK416S

 

 

2SK416S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:47K  hitachi
2sk416s.pdf

2SK416S

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
2sk416s.pdf

2SK416S
2SK416S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK416SFEATURESDrain Current : I = 2.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.8(Max) @ V = 15VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

 8.1. Size:355K  sanken-ele
2sk4161d.pdf

2SK416S
2SK416S

http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC Mar. 2014 Features Package Low on-resistance TO-3P Built-in gate protection diode Applications Electric power steering High current switching Key Specifications V = 60V (I =100A) (BR)DSS DR = 4.8m max. (V =10V, I =35A) DS(ON) GS DR = 6.0m max. (V =8V, I =35A) DS(ON)

 8.2. Size:259K  inchange semiconductor
2sk4161d.pdf

2SK416S
2SK416S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK4161DFEATURESDrain Current I =100A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.8m(Max) 100% avalanche testedDS(on)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies .ABSOLUTE MAXIMUM

 8.3. Size:354K  inchange semiconductor
2sk416l.pdf

2SK416S
2SK416S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK416LFEATURESDrain Current : I = 2.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.8(Max) @ V = 15VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AS3434E | SPA20N60C3

 

 
Back to Top