Справочник MOSFET. AP2535GEY-HF

 

AP2535GEY-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2535GEY-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.13 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6(3.1) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7(13) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032(0.08) Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для AP2535GEY-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2535GEY-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  ape
 ap2535gey-hf.pdf pdf_icon

AP2535GEY-HF

AP2535GEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Capable of 1.8V Gate Drive N-CH BVDSS 20VS1 Lower Gate Charge RDS(ON) 32mD1 Fast Switching Performance ID 4.6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VG1SOT-26RDS(ON) 80mDescription ID -3.1AAP2535 series are from Advanced Powe

 5.1. Size:226K  ape
 ap2535gey.pdf pdf_icon

AP2535GEY-HF

AP2535GEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Capable of 1.8V Gate Drive N-CH BVDSS 20VS1 Lower Gate Charge RDS(ON) 32mD1 Fast Switching Performance ID 4.6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VG1SOT-26RDS(ON) 80mDescription ID -3.1AAP2535 series are from Advanced Powe

 9.1. Size:189K  ape
 ap2530gy.pdf pdf_icon

AP2535GEY-HF

AP2530GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VS1 Low On-resistance RDS(ON) 72mD1 Surface Mount Package ID 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VSOT-26 G1RDS(ON) 150mDescription ID -2.3AAP2530 series are from Advanced Power innovated desig

 9.2. Size:120K  ape
 ap2531gy.pdf pdf_icon

AP2535GEY-HF

AP2531GYRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge Drive N-CH BVDSS 16VS1 Low On-resistance RDS(ON) 58mD1 Surface Mount Package ID 3.5AG2S2P-CH BVDSS -16VSOT-26 G1RDS(ON) 125mDescription ID -2.5AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK416S , 2SK417 , AP2451GY-HF , AP2530AGY-HF , AP2530GY-HF , AP2531GY , AP2532GY , AP2533GY-HF , AON7410 , AP25N10GH-HF , AP25N10GJ-HF , AP25N10GP-HF , AP25N10GS-HF , AP25P15GI , AP25P15GS-HF , AP2602GY , AP2603GY-HF .

History: IPW60R125CFD7 | SQ3985EV | IRFP2907ZPBF

 

 
Back to Top

 


 
.