AP2535GEY-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2535GEY-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.13 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6(3.1) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7(13) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032(0.08) Ohm

Тип корпуса: SOT26

Аналог (замена) для AP2535GEY-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2535GEY-HF даташит

 ..1. Size:122K  ape
ap2535gey-hf.pdfpdf_icon

AP2535GEY-HF

AP2535GEY-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Capable of 1.8V Gate Drive N-CH BVDSS 20V S1 Lower Gate Charge RDS(ON) 32m D1 Fast Switching Performance ID 4.6A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20V G1 SOT-26 RDS(ON) 80m Description ID -3.1A AP2535 series are from Advanced Powe

 5.1. Size:226K  ape
ap2535gey.pdfpdf_icon

AP2535GEY-HF

AP2535GEY-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Capable of 1.8V Gate Drive N-CH BVDSS 20V S1 Lower Gate Charge RDS(ON) 32m D1 Fast Switching Performance ID 4.6A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20V G1 SOT-26 RDS(ON) 80m Description ID -3.1A AP2535 series are from Advanced Powe

 9.1. Size:189K  ape
ap2530gy.pdfpdf_icon

AP2535GEY-HF

AP2530GY-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30V S1 Low On-resistance RDS(ON) 72m D1 Surface Mount Package ID 3.3A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V SOT-26 G1 RDS(ON) 150m Description ID -2.3A AP2530 series are from Advanced Power innovated desig

 9.2. Size:120K  ape
ap2531gy.pdfpdf_icon

AP2535GEY-HF

AP2531GY RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Low Gate Charge Drive N-CH BVDSS 16V S1 Low On-resistance RDS(ON) 58m D1 Surface Mount Package ID 3.5A G2 S2 P-CH BVDSS -16V SOT-26 G1 RDS(ON) 125m Description ID -2.5A Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the low

Другие IGBT... 2SK416S, 2SK417, AP2451GY-HF, AP2530AGY-HF, AP2530GY-HF, AP2531GY, AP2532GY, AP2533GY-HF, SPP20N60C3, AP25N10GH-HF, AP25N10GJ-HF, AP25N10GP-HF, AP25N10GS-HF, AP25P15GI, AP25P15GS-HF, AP2602GY, AP2603GY-HF