Справочник MOSFET. AP2R803AGMT-HF

 

AP2R803AGMT-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2R803AGMT-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP2R803AGMT-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2R803AGMT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  ape
 ap2r803agmt-hf.pdf pdf_icon

AP2R803AGMT-HF

AP2R803AGMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 3m Low On-resistance ID 105AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switchin

 7.1. Size:93K  ape
 ap2r803gh.pdf pdf_icon

AP2R803AGMT-HF

AP2R803GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching Characteristic ID 75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestGDcombination of fast switching, ruggedized device design, low on-resista

 7.2. Size:59K  ape
 ap2r803gmt-hf.pdf pdf_icon

AP2R803AGMT-HF

AP2R803GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 3m Low On-resistance ID 105AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugged

 7.3. Size:137K  ape
 ap2r803gjb.pdf pdf_icon

AP2R803AGMT-HF

AP2R803GJBHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching Characteristic ID3 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP2R803 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2764I-A , AP2765I-A-HF , AP2851GO , AP2852GO , AP2864I-A-HF , AP2N7002K-HF , AP2R403AGMT-HF , AP2R403GMT-HF , BS170 , AP2R803GH-HF , AP2R803GMT-HF , AP2RA04GMT-HF , AP30N30W , AP30N30WI , AP30P10GH-HF , AP30P10GI , AP30P10GP-HF .

History: STP34NM60ND | SPI07N60C3 | 19N10L-TN3-R | FDZ7296 | PMN20EN | IRFP4127PBF | P3606BK

 

 
Back to Top

 


 
.