AP4228GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4228GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4228GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4228GM даташит

 ..1. Size:227K  ape
ap4228gm.pdfpdf_icon

AP4228GM

AP4228GM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30V D2 D2 D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 26m D1 Fast Switching Characteristic ID 6.8A S2G2 G1 SO-8 S1 D2 D1 Description G2 G1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, S1

 ..2. Size:851K  cn vbsemi
ap4228gm.pdfpdf_icon

AP4228GM

AP4228GM www.VBsemi.tw Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.8 30 15 nC 100 % UIS Tested 0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box

 0.1. Size:198K  ape
ap4228gm-hf.pdfpdf_icon

AP4228GM

AP4228GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30V D2 D2 D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 26m D1 Fast Switching Characteristic ID 6.8A S2G2 RoHS Compliant G1 SO-8 S1 D2 D1 Description G2 G1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

 9.1. Size:74K  ape
ap4224lgm-hf-pre.pdfpdf_icon

AP4228GM

AP4224LGM-HF Preliminary Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 20V D2 D2 D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 14m D1 Dual N MOSFET Package ID 10A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer D2 D1 with the best combination of

Другие IGBT... AP40T10GP-HF, AP40T10GR, AP4224AGM, AP4224GM, AP4224LGM-HF, AP4226AGM, AP4226BGM-HF, AP4226GM, AO4468, AP4230GM-HF, AP4232AGM, AP4232BGM-HF, AP4232GM-HF, AP42T03GP, AP4405GM, AP4407GM-HF, AP4407GP