Справочник MOSFET. AP4434GM

 

AP4434GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4434GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP4434GM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4434GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  ape
 ap4434gm.pdf pdf_icon

AP4434GM

AP4434GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20VDDD Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 18.5mD Surface mount package ID 8.3AGSSSSO-8DDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,Sruggedized devi

 0.1. Size:93K  ape
 ap4434gm-hf.pdf pdf_icon

AP4434GM

AP4434GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 20V Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 18.5m Surface Mount Package ID 8.3AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDDdesigner with the best combination of fast switch

 7.1. Size:76K  ape
 ap4434gh-hf.pdf pdf_icon

AP4434GM

AP4434GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 20V Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 18.5m Fast Switching Characteristic ID 21AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDSTO-252(H)best combination of fast

 8.1. Size:76K  ape
 ap4434agh-hf-pre.pdf pdf_icon

AP4434GM

AP4434AGH-HFPreliminaryAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 20V Capable of 1.8V Gate Drive RDS(ON) 22m Fast Switching Characteristic ID 25AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4430GEM , AP4430GM-HF , AP4432GM , AP4433GM-HF , AP4434AGH-HF , AP4434AGM-HF , AP4434AGYT-HF , AP4434GH-HF , 4435 , AP4435GH-HF , AP4435GJ-HF , AP4435GM-HF , AP4435GYT-HF , AP4436GM , AP4437GM-HF , AP4438AGM-HF , AP4438BGM-HF .

History: ZM019N03N | CSD83325L | SI2308 | AP4230GM-HF | BSF050N03LQ3G | MSF4N65 | BSC200P03LSG

 

 
Back to Top

 


 
.