AP4435GYT-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4435GYT-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: PMPAK3X3

Аналог (замена) для AP4435GYT-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4435GYT-HF даташит

 ..1. Size:95K  ape
 ap4435gyt-hf.pdf pdf_icon

AP4435GYT-HF

AP4435GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 21m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -11A G S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des

 7.1. Size:202K  ape
 ap4435gm-hf.pdf pdf_icon

AP4435GYT-HF

AP4435GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D D Low On-resistance RDS(ON) 20m D Fast Switching Characteristic ID -9A G S RoHS Compliant S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

 7.2. Size:214K  ape
 ap4435gh ap4435gj.pdf pdf_icon

AP4435GYT-HF

AP4435GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D Lower On-resistance RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID -40A G S Description G The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial D S TO-252(H) surface mount applications and suited for low voltag

 7.3. Size:100K  ape
 ap4435gh-hf ap4435gj-hf.pdf pdf_icon

AP4435GYT-HF

AP4435GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D Lower On-resistance RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID -40A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4434AGH-HF, AP4434AGM-HF, AP4434AGYT-HF, AP4434GH-HF, AP4434GM, AP4435GH-HF, AP4435GJ-HF, AP4435GM-HF, IRF530, AP4436GM, AP4437GM-HF, AP4438AGM-HF, AP4438BGM-HF, AP4438CGM-HF, AP4438GM-HF, AP4438GSM-HF, AP4438GYT-HF