AP4957GM - аналоги и даташиты транзистора

 

AP4957GM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP4957GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP4957GM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4957GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:72K  ape
ap4957gm.pdfpdf_icon

AP4957GM

AP4957GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS -30VD2D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 24mD1D1 Dual P MOSFET Package ID -7.7AG2S2G1SO-8S1DescriptionD2D1The Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the b

 8.1. Size:95K  ape
ap4957agm-hf.pdfpdf_icon

AP4957GM

AP4957AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS -30VD2D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 26mD1D1 Dual P MOSFET Package ID -7.4AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD2D1designer with the best com

 8.2. Size:178K  ape
ap4957agm.pdfpdf_icon

AP4957GM

AP4957AGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS -30VD2D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 26mD1D1 Dual P MOSFET Package ID -7.4AG2S2G1SO-8S1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized de

 8.3. Size:1931K  cn apm
ap4957a.pdfpdf_icon

AP4957GM

AP4957A -30V P+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4957A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-8.8A DS DR

Другие MOSFET... AP4924GM , AP4933GM-HF , AP4936GM , AP4951GM , AP4951GM-HF , AP4953GM-HF , AP4955GM , AP4957AGM , IRFP064N , AP4959GM , AP4961GM , AP4963GEM-HF , AP9467AGH-HF , AP9467AGM-HF , AP9467AGMT-HF , AP9467GH-HF , AP9467GJ-HF .

History: AP4800GEM

 

 
Back to Top

 


 
.