AP4957GM - описание и поиск аналогов

 

AP4957GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4957GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4957GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4957GM даташит

 ..1. Size:72K  ape
ap4957gm.pdfpdf_icon

AP4957GM

AP4957GM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS -30V D2 D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 24m D1 D1 Dual P MOSFET Package ID -7.7A G2 S2 G1 SO-8 S1 Description D2 D1 The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the b

 8.1. Size:95K  ape
ap4957agm-hf.pdfpdf_icon

AP4957GM

AP4957AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS -30V D2 D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 26m D1 D1 Dual P MOSFET Package ID -7.4A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D2 D1 designer with the best com

 8.2. Size:178K  ape
ap4957agm.pdfpdf_icon

AP4957GM

AP4957AGM RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS -30V D2 D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 26m D1 D1 Dual P MOSFET Package ID -7.4A G2 S2 G1 SO-8 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized de

 8.3. Size:1931K  cn apm
ap4957a.pdfpdf_icon

AP4957GM

AP4957A -30V P+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4957A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-8.8A DS D R

Другие MOSFET... AP4924GM , AP4933GM-HF , AP4936GM , AP4951GM , AP4951GM-HF , AP4953GM-HF , AP4955GM , AP4957AGM , IRFP064N , AP4959GM , AP4961GM , AP4963GEM-HF , AP9467AGH-HF , AP9467AGM-HF , AP9467AGMT-HF , AP9467GH-HF , AP9467GJ-HF .

History: 2N90L-TM3-T | CS16N06AE-G | SIR422DP-T1-GE3 | 3N45 | 2SK897-M | STD13N50DM2AG | NTF5P03T3G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.