AP9467AGM-HF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP9467AGM-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP9467AGM-HF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP9467AGM-HF даташит
ap9467agm-hf.pdf
AP9467AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5m D Fast Switching Characteristic ID 11A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of
ap9467agmt-hf.pdf
AP9467AGMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 11.5m Low On-resistance ID 38A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast
ap9467agm.pdf
AP9467AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5m D Fast Switching Characteristic ID 11A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP9467A series are fro
ap9467agh.pdf
AP9467AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5m Fast Switching Characteristic ID 43A G Halogen Free & RoHS Compliant S Description AP9467A series are from Advanced Power innovated design and G D silicon process technology to achieve the
Другие MOSFET... AP4953GM-HF , AP4955GM , AP4957AGM , AP4957GM , AP4959GM , AP4961GM , AP4963GEM-HF , AP9467AGH-HF , IRF740 , AP9467AGMT-HF , AP9467GH-HF , AP9467GJ-HF , AP9467GS , AP50T10AGI-HF , AP50T10GH-HF , AP50T10GI-HF , AP50T10GJ-HF .
History: AP50T10AGI-HF | KI2305DS
History: AP50T10AGI-HF | KI2305DS
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845





