Справочник MOSFET. AP60T10GS

 

AP60T10GS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP60T10GS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60T10GS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
ap60t10gp ap60t10gs.pdfpdf_icon

AP60T10GS

AP60T10GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower On-resistance RDS(ON) 18m Fast Switching Characteristic ID 67AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GTO-220(P)ruggedized device design,

 0.1. Size:96K  ape
ap60t10gp-hf ap60t10gs-hf.pdfpdf_icon

AP60T10GS

AP60T10GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower On-resistance RDS(ON) 18m Fast Switching Characteristic ID 67AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design, low on-resi

 6.1. Size:58K  ape
ap60t10gi-hf.pdfpdf_icon

AP60T10GS

AP60T10GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower On-resistance RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 34AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDruggedized device design, low on-res

 8.1. Size:713K  ncepower
nceap60t15g.pdfpdf_icon

AP60T10GS

http://www.ncepower.com NCEAP60T15GNCE Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFETDescription General FeaturesThe NCEAP60T15G uses Super Trench technology that is V =60V,I =196A (Silicon Limited)DS Duniquely optimized to provide the most efficient high frequency R

Другие MOSFET... AP60T03GI , AP60T03GJ-HF , AP60T03GP , AP60T03GS , AP60T06GJ-HF , AP60T06GP-HF , AP60T10GI-HF , AP60T10GP , IRLB4132 , AP62T03GH , AP62T03GJ , AP6618GM-HF , AP6677GH , AP6679BGH-HF , AP6679BGI-HF , AP6679BGM-HF , AP6679BGP-HF .

History: DMN3052LSS | FHF630A | 2SJ479S

 

 
Back to Top

 


 
.