Справочник MOSFET. AP6677GH

 

AP6677GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6677GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0123 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP6677GH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6677GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  ape
ap6677gh.pdfpdf_icon

AP6677GH

AP6677GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 12.3m Fast Switching Characteristic ID -60AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching, TO-252(H)Sruggedized device des

 9.1. Size:60K  ape
ap6679gp-a ap6679gs-a.pdfpdf_icon

AP6677GH

AP6679GS/P-APb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 13.5m Fast Switching Characteristic ID -65AG RoHS CompliantSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-

 9.2. Size:198K  ape
ap6679gs.pdfpdf_icon

AP6677GH

AP6679GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-263(S)ruggedized device desi

 9.3. Size:153K  ape
ap6679gi-hf.pdfpdf_icon

AP6677GH

AP6679GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low Gate Charge BVDSS -30V Single Drive Requirement RDS(ON) 9m Lower On-resistance ID -48AG RoHS CompliantSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-220CFM(I)ruggedized dev

Другие MOSFET... AP60T06GJ-HF , AP60T06GP-HF , AP60T10GI-HF , AP60T10GP , AP60T10GS , AP62T03GH , AP62T03GJ , AP6618GM-HF , IRFB3607 , AP6679BGH-HF , AP6679BGI-HF , AP6679BGM-HF , AP6679BGP-HF , AP6679GH-HF , AP6679GI-HF , AP6679GJ-HF , AP6679GM-HF .

History: YJL2312AL | AOT2146L

 

 
Back to Top

 


 
.