Справочник MOSFET. AP9412AGI

 

AP9412AGI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP9412AGI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-220CFM

 Аналог (замена) для AP9412AGI

 

 

AP9412AGI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  ape
 ap9412agi.pdf

AP9412AGI AP9412AGI

AP9412AGIRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Performance BVDSS 30VD Single Drive Requirement RDS(ON) 6m Full Isolation Package ID 68AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design,low on-resistance

 6.1. Size:94K  ape
 ap9412agm-hf.pdf

AP9412AGI AP9412AGI

AP9412AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDD Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 6mDD Fast Switching Characteristic ID 16AG RoHS Compliant & Halogen-Free SSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination o

 6.2. Size:61K  ape
 ap9412agp.pdf

AP9412AGI AP9412AGI

AP9412AGPRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 68AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design,low on-resistance an

 6.3. Size:165K  ape
 ap9412agh.pdf

AP9412AGI AP9412AGI

AP9412AGHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 68AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with GDSthe best combination of fast switching, ruggedized device design,TO-252(H

 6.4. Size:93K  ape
 ap9412agm.pdf

AP9412AGI AP9412AGI

AP9412AGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDD Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 6mDD Fast Switching Characteristic ID 16AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized devic

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top