AP9468GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP9468GM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP9468GM Datasheet (PDF)
ap9468gm.pdf

AP9468GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 7mD Fast Switching Characteristic ID 14.6AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device desi
ap9468gm-hf.pdf

AP9468GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 7mD Fast Switching Characteristic ID 14.6AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fa
ap9468gp-hf.pdf

AP9468GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m Fast Switching Characteristic ID 80AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rug
ap9468gh.pdf

AP9468GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m Fast Switching Characteristic G ID3 75AS RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionAP9468 series are from Advanced Power innovated design and siliconGDprocess technology to achieve the low
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: BUK114-50S | STK4N25 | 2SK3434-S | FQB8N60CFTM | IRF3707SPBF | SL2301S | IRF7240
History: BUK114-50S | STK4N25 | 2SK3434-S | FQB8N60CFTM | IRF3707SPBF | SL2301S | IRF7240



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor