AP9470GM-HF - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

AP9470GM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9470GM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9470GM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

AP9470GM-HF даташит

..1. Size:93K ape
ap9470gm-hf.pdf pdf_icon

AP9470GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 13.5m D Fast Switching Characteristic ID 10.2A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination o

6.1. Size:166K ape
ap9470gm.pdf pdf_icon

9.1. Size:94K ape
ap9475gm-hf.pdf pdf_icon

AP9475GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 40m D Fast Switching Characteristic ID 6.9A G S S RoHS Compliant & Halogen-Free S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

9.2. Size:217K ape
ap9476gm.pdf pdf_icon

AP9476GM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 60V D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 21m D D Fast Switching Characteristic ID 7.8A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desi