Справочник MOSFET. AP9972GR

 

AP9972GR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9972GR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для AP9972GR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9972GR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
 ap9972gr.pdf pdf_icon

AP9972GR

AP9972GRRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Single Drive Requirement RDS(ON) 18m RoHS Compliant ID 60AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiven

 7.1. Size:165K  ape
 ap9972gs.pdf pdf_icon

AP9972GR

AP9972GS/P-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 60AGSDescriptionAP9972 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve th

 7.2. Size:153K  ape
 ap9972gp.pdf pdf_icon

AP9972GR

AP9972GS/P-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 60AGSDescriptionAP9972 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve th

 7.3. Size:99K  ape
 ap9972gs p-hf.pdf pdf_icon

AP9972GR

AP9972GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 60AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DSTO-263(S)ruggedized device design,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9971GP-HF , AP9971GS-HF , AP9972AGI , AP9972AGP-HF , AP9972AGR-HF , AP9972GH-HF , AP9972GI-HF , AP9972GP-HF , IRF9640 , AP9972GS-HF , AP9973GD , AP9973GH-HF , AP9973GI , AP9973GJ-HF , AP9973GM , AP9973GP , AP9973GS .

History: SDF10N100SXH | TDM3415 | AP9591GS | NVF6P02 | AFN6424S | TSM20N50CI | AP20P02GH

 

 
Back to Top

 


 
.