AP9972GR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9972GR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для AP9972GR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9972GR даташит

 ..1. Size:95K  ape
 ap9972gr.pdf pdf_icon

AP9972GR

AP9972GR RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60V D Single Drive Requirement RDS(ON) 18m RoHS Compliant ID 60A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiven

 7.1. Size:165K  ape
 ap9972gs.pdf pdf_icon

AP9972GR

AP9972GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 60A G S Description AP9972 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th

 7.2. Size:153K  ape
 ap9972gp.pdf pdf_icon

AP9972GR

AP9972GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 60A G S Description AP9972 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th

 7.3. Size:99K  ape
 ap9972gs p-hf.pdf pdf_icon

AP9972GR

AP9972GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 60A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D S TO-263(S) ruggedized device design,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9971GP-HF, AP9971GS-HF, AP9972AGI, AP9972AGP-HF, AP9972AGR-HF, AP9972GH-HF, AP9972GI-HF, AP9972GP-HF, K2611, AP9972GS-HF, AP9973GD, AP9973GH-HF, AP9973GI, AP9973GJ-HF, AP9973GM, AP9973GP, AP9973GS