Справочник MOSFET. AP9985GM

 

AP9985GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9985GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9985GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  ape
ap9985gm.pdfpdf_icon

AP9985GM

AP9985GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 40VDD Fast Switching Speed D RDS(ON) 15mD Surface Mount Package ID 10AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, ultra low

 0.1. Size:97K  ape
ap9985gm-hf.pdfpdf_icon

AP9985GM

AP9985GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 40VDD Simple Drive Requirement D RDS(ON) 15mD Fast Switching Characteristic ID 10AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAP9985 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology t

 9.1. Size:233K  ape
ap9980gh-hf.pdfpdf_icon

AP9985GM

AP9980GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 45m Fast Switching Performance ID 21.3AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9980 series are from Advanced Power innovated design andGDSsilicon process technology to achieve the lowe

 9.2. Size:198K  ape
ap9987gj.pdfpdf_icon

AP9985GM

AP9987GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Performance ID 15AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9987 series are from Advanced Power innovated design and siliconGDSprocess technology to achieve the lowe

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.