Справочник MOSFET. AP9997BGJ-HF

 

AP9997BGJ-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9997BGJ-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9997BGJ-HF Datasheet (PDF)

 6.1. Size:123K  ape
 ap9997bghj-hf.pdf pdf_icon

AP9997BGJ-HF

AP9997BGH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 145m Fast Switching Characteristic ID 9.3AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionAP9997B series are from Advanced Power innovated design and siliconGDprocess technology to

 8.1. Size:182K  ape
 ap9997gm.pdf pdf_icon

AP9997BGJ-HF

AP9997GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic BVDSS 95VD2D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 110mD1D1 Surface Mount Package ID 3AG2S2G1S1SO-8DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD2D1designer with the best combination of fast switching,rugge

 8.2. Size:97K  ape
 ap9997gh-hf ap9997gj-hf.pdf pdf_icon

AP9997BGJ-HF

AP9997GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 120m Fast Switching Characteristic ID 11AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theS TO-252(H)designer with the best combination of fast

 8.3. Size:185K  ape
 ap9997agh.pdf pdf_icon

AP9997BGJ-HF

AP9997AGH-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 120V Lower Gate Charge RDS(ON) 185m Fast Switching Characteristic ID 8.8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9997A series are from Advanced Power innovat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9992GI-HF , AP9992GP-A-HF , AP9992GP-HF , AP9992GR-HF , AP9995GH-HF , AP9995GJ-HF , AP9997AGH-HF , AP9997BGH-HF , IRF1407 , AP9997GH-HF , AP9997GJ-HF , AP9997GK , AP9997GM , AP9997GP-HF , AP9998GH-HF , AP9998GS-HF , AP99T03GP-HF .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.