2N3955. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3955

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 4 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Электрические характеристики

Тип корпуса: TO-71

Аналог (замена) для 2N3955

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N3955 даташит

 ..1. Size:67K  interfet
 2n3954 2n3955 2n3956.pdf pdf_icon

2N3955

Databook.fxp 1/14/99 11 29 AM Page B-5 01/99 B-5 2N3954, 2N3955, 2N3956 N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Low and Medium Frequency Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Differential Amplifiers Gate Current 50 mA High Input Impedance Total Device Power Dissipation (each side) 250 mW @ 85 C Case Tem

 9.1. Size:260K  rca
 2n395.pdf pdf_icon

2N3955

 9.2. Size:55K  vishay
 2n3958.pdf pdf_icon

2N3955

2N3958 Vishay Siliconix Monolithic N-Channel JFET Dual PRODUCT SUMMARY VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Max (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV) 1.0 to 4.5 50 1 50 25 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Monolithic Design D Tight Differential Match vs. Current D Wideband Differential Amps D High Slew Rate D Improved Op Amp Speed, Settling Time D High-Speed, Accuracy Temp-

 9.3. Size:66K  interfet
 2n3957 2n3958.pdf pdf_icon

2N3955

Databook.fxp 1/14/99 11 30 AM Page B-6 B-6 01/99 2N3957, 2N3958 N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Low and Medium Frequency Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Differential Amplifiers Gate Current 50 mA High Input Impedance Total Device Power Dissipation (each side) 250 mW @ 85 C Case Temperature

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N3797, 2N3820, 2N3821, 2N3822, 2N3823, 2N3921, 2N3922, 2N3954, 5N65, 2N3956, 2N5018, 2N5019, 2N3957, 2N3958, 2N3993, 2N3993A, 2N3994