2N6450 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N6450
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.01 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
Тип корпуса: TO-39
2N6450 Datasheet (PDF)
2n6449 2n6450.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-24B-24 01/992N6449, 2N6450N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C High Voltage2N6449 2N6450Reverse Gate Source Voltage 300 V 200 VReverse Gate Drain Voltage 300 V 200 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mAContinuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mWPower Derati
2n6451 2n6452.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-2501/99 B-252N6451, 2N6452N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Audio Amplifiers2N6451 2N6452 Low-Noise, High GainReverse Gate Source Voltage 20 V 25 VAmplifiersReverse Gate Drain Voltage 20 V 25 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mA Low-Noise Preamplifiers
2n6453 2n6454.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-26B-26 01/992N6453, 2N6454N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Audio Amplifiers2N6453 2N6454 Low-Noise, High GainReverse Gate Source Voltage 20 V 25 VAmplifiersReverse Gate Drain Voltage 20 V 25 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mA Low-Noise Preamplifiers
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918