MMBFJ212 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MMBFJ212
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.04 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Тип корпуса: SOT-23
MMBFJ212 Datasheet (PDF)
j201 j202 mmbfj201 mmbfj202 mmbfj203.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
January 2008J201 - J202 / MMBFJ201 - MMBFJ203N-Channel General Purpose Amplifier This device is designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. Sourced from Process 52.TO-92 SOT-2332MarkingMarking J201MMBFJ201 : 62PJ202MMBFJ202 : 62Q1 11. Drain 2. Source 3. Gate 1. Drain 2. Source 3. GateAbsolute
mmbfj270.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
August 2008MMBFJ270P-Channel SwitchFeatures This device is designed for low level analog switching sample and hold Gcircuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from process 88.SDSOT-23 Mark : 61SAbsolute Maximum Ratings (Note1) Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage -30 VVGS Gate-Source Voltage 30 VIGF Fo
mmbfj271.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
June 2006MMBFJ271tmP-Channel SwitchFeatures This device is designed for low level analog switching sample and hold Gcircuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from process 88.SDSOT-23 Mark : 62TAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage -30 VVGS Gate-Source Voltage 30 VIGF Forwar
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .