PN4303 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PN4303
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.625 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 6 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.01 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Тип корпуса: TO-92
PN4303 Datasheet (PDF)
pn4303.pdf
PN4303N-Channel General Purpose Amplifier This device is designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. Sourced from process 52.TO-9211. Drain 2. Source 3. GateAbsolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage -30 VIG
pn4302.pdf
PN4302N-Channel General Purpose Amplifier This device is designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. Sourced from process 52.TO-9211. Drain 2. Source 3. GateAbsolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage -30 VIG
fpn430.pdf
FPN430FPN430ATO-226CBEPNP Low Saturation TransistorThese devices are designed for high current gain and lowsaturation voltage with collector currents up to 2.0 A continuous.Sourced from Process PB.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVCBO Collector-Base Voltage 35 VVEBO Emitter-Base
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
