PN4303 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PN4303
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.625 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 6 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.01 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Тип корпуса: TO-92
PN4303 Datasheet (PDF)
pn4303.pdf
PN4303N-Channel General Purpose Amplifier This device is designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. Sourced from process 52.TO-9211. Drain 2. Source 3. GateAbsolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage -30 VIG
pn4302.pdf
PN4302N-Channel General Purpose Amplifier This device is designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. Sourced from process 52.TO-9211. Drain 2. Source 3. GateAbsolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage -30 VIG
fpn430.pdf
FPN430FPN430ATO-226CBEPNP Low Saturation TransistorThese devices are designed for high current gain and lowsaturation voltage with collector currents up to 2.0 A continuous.Sourced from Process PB.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVCBO Collector-Base Voltage 35 VVEBO Emitter-Base
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
