Справочник MOSFET. SUN0550F

 

SUN0550F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUN0550F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUN0550F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  auk
sun0550f.pdfpdf_icon

SUN0550F

SUN0550F Advanced N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.23 (Typ.) Low gate charge: Qg=10.5nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=2pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0550F SUN0550 TO-220F

 7.1. Size:304K  auk
sun0550d.pdfpdf_icon

SUN0550F

SUN0550D Advanced N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.23 (Typ.) Low gate charge: Qg=10.5nC (Typ.) D Low reverse transfer capacitance: Crss=2pF (Typ.) Halogen free device and RoHS compliant device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252

 9.1. Size:680K  auk
sun05a25f.pdfpdf_icon

SUN0550F

SUN05A25F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =0.92 (Typ.) DS(on) Low gate charge: Q =6nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance: C =5pF (Typ.) rss RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN05A25F SU

 9.2. Size:603K  auk
sun05a50zd.pdfpdf_icon

SUN0550F

SUN05A50ZD New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =1.23 (Typ.) DS(on)D Low gate charge: Q =17.5nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance: C =5pF (Typ.) rss Built-in ESD Diode 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SUN05A50ZD

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF7220GPBF | FMH20N50ES | KSP92 | RRF015P03 | PMPB27EP | IRF3205ZLPBF | MTB30P06VT4

 

 
Back to Top

 


 
.