Справочник MOSFET. SUN0550F

 

SUN0550F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUN0550F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для SUN0550F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUN0550F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  auk
 sun0550f.pdf pdf_icon

SUN0550F

SUN0550F Advanced N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.23 (Typ.) Low gate charge: Qg=10.5nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=2pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0550F SUN0550 TO-220F

 7.1. Size:304K  auk
 sun0550d.pdf pdf_icon

SUN0550F

SUN0550D Advanced N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.23 (Typ.) Low gate charge: Qg=10.5nC (Typ.) D Low reverse transfer capacitance: Crss=2pF (Typ.) Halogen free device and RoHS compliant device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252

 9.1. Size:680K  auk
 sun05a25f.pdf pdf_icon

SUN0550F

SUN05A25F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =0.92 (Typ.) DS(on) Low gate charge: Q =6nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance: C =5pF (Typ.) rss RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN05A25F SU

 9.2. Size:603K  auk
 sun05a50zd.pdf pdf_icon

SUN0550F

SUN05A50ZD New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =1.23 (Typ.) DS(on)D Low gate charge: Q =17.5nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance: C =5pF (Typ.) rss Built-in ESD Diode 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SUN05A50ZD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SUN0260D , SUN0260F , SUN0460D , SUN0460F , SUN0460I2 , SUN0465F , SUN0465I2 , SUN0550D , RU6888R , SUN0760F , SUN0760I2 , SUN0765F , SUN0765I2 , SUN1060F , SUN1060I2 , 2N7002B , 2N7002KU .

 

 
Back to Top

 


 
.