3N60Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 3N60Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.8 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
3N60Z Datasheet (PDF)
3n60z.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N60Z Power MOSFET 3A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1TO-220FThe UTC 3N60Z is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed
ndf03n60z ndp03n60z ndd03n60z.pdf
NDF03N60Z, NDP03N60Z,NDD03N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 3.3 WFeatureshttp://onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche TestedVDSS RDS(on) (TYP) @ 1.2 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant600 V3.3 WABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)Rating Symbol NDF NDP NDD UnitN-ChannelD (2)Drain-to-Source V
sff23n60m sff23n60z.pdf
SFF23N60M Solid State Devices, Inc. SFF23N60Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 15 AMP, 600 Volts, 320 m Avalanche Rated N-channel TO-254 TO-254Z MOSFET Features: Advanced low gate charge process Lowest ON-resistance in the industry Av
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
